12月2日，美国商务部产业与安全局（BIS）修订美国《出口管理条例》（EAR），发布《新增外国直接产品规则，以及对先进计算机和半导体制造物项控制措施的修订》Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items，即《临时最终规则》（Interim Final Rule,，以下简称“1202规则”），在过往系列芯片出口管制规则的基础上，进一步加强了针对半导体制造设备、先进计算、超级计算领域相关物项的出口管制，包括新增管控物项、设立新的外国直接产品规则等，以削弱中国企业生产先进节点集成电路的能力。同日，BIS发布Additions and Modifications to the Entity List; Removals from the Validated End-User （VEU） Program，将140家芯片行业实体（其中包括136家中国实体）增列至“实体清单”，对特定代工厂增加了实体清单脚注5，以打击芯片行业设计研发和制造企业的供应链稳定性和获取技术的能力。

本文将逐一解读1202规则的重点出口管制限制措施。

一、扩大管制物项范围

（一）新增ECCN 3A090.c，管控高宽带存储器（HBM）

1202规则新增出口管制分类编码3A090.c，即具有高于每平方毫米每秒2千兆字节的“内存带宽密度”（memory bandwidth density）的高带宽内存[1]。

“内存带宽密度”是指内存带宽（以每秒千兆字节为单位）除以封装或堆叠面积（以平方毫米为单位）所得的比值。在堆叠被包含在封装内的情况下，应使用封装器件的内存带宽和封装的面积进行分类。高带宽内存包括动态随机存取存储器集成电路，只要其“内存带宽密度”大于每平方毫米每秒2千兆字节，无论其是否符合JEDEC的高带宽内存标准（JEDEC standards）。1202规则明确：3A090.c不管控主要功能为处理的高带宽内存和逻辑集成电路共封装集成电路。

（二）修改先进节点DRAM芯片的参数

1202规则修改了“先进节点集成电路”（Advanced-Node IC）中DRAM芯片的定义，将“半间距为18nm或更小的DRAM”标准替换为两个不同的标准。具体而言，“先进节点集成电路”是指：

（1）采用非平面晶体管结构（FinFET或GAAFET）的逻辑芯片或16nm或14nm以下技术节点制程的芯片；

（2）128层或更多层的NAND；或者，

（3）动态随机存取存储器（DRAM）集成电路，具有以下特征之一：

i.存储单元面积小于0.0019平方微米（µm²）；或

ii.存储密度大于每平方毫米0.288千兆位。

（三）澄清软件密钥（software keys）的管控规则

1202规则澄清了软件密钥的具体定义和管控规则。具体而言，软件密钥（也称为软件许可密钥，software license keys），它使用户能够通过许可使用“软件”或硬件，或者更新现有“软件”或硬件。

如果转让“技术”或“软件”需要出口许可的授权，那么在“知晓”此类转让会导致未经许可即释放（release）此类“技术”或“软件”的情况下，转让“访问信息”（access information）也需要相应的许可。“软件”的释放包括源代码和目标代码。

软件密钥与所能访问的相应“软件”或硬件属于同一ECCN编码并受到同等管控规则。如果“软件”或硬件的出口、再出口或境内转移需要申请许可证，则其对应的软件密钥也需要申请许可证。如果已获得“软件”或硬件的出口、再出口或境内转移的许可，则该许可同样适用于对应的软件许可密钥。如果“软件”或硬件及其相关的软件密钥最初出口时无需出口许可，但后来对“软件”或硬件实施了许可要求（例如，最终用户被列入实体清单），则后续对“软件”和硬件及其相关的软件许可密钥的出口、再出口或境内转移都将受到新的许可要求的约束。

（四）修订及新增半导体制造设备相关管制物项

1、修订ECCN 3B001、3B002、3B991 、3B992、3D002

为了与《瓦森纳协定》协同一致，1202规则修订了ECCN 3B001的管制物项内容和表述，以及3B002、3B991和3B992、3D002的相关表述。

2、新增ECCN 3B993（“特定半导体制造设备”）和3B994（“能够生产先进节点集成电路的半导体制造设备”）

1202规则新增物项ECCN 3B993“特定半导体制造设备”，用于明确那些能够支持先进节点集成电路生产的物项。ECCN 3B993主要包括高精度离子注入设备、高纵横比蚀刻设备等。

与ECCN 3B993类似，1202规则新增ECCN 3B994，管控可支持“先进节点集成电路”“生产 ”的物项。ECCN3B994主要包括低电流和中电流离子注入设备（low-and medium-current ion implantation equipment）等。

3、新增ECCN 3D992（“开发或生产特定半导体制造设备的软件”）

1202规则新增物项ECCN 3D992，管制用于“开发”或“生产”ECCN 3B001项下特定编码所述商品的 “软件”。此外，新增的 3D992.b管制用于先进半导体封装的电子计算机辅助设计（Electronic Computer-aided Design，ECAD）软件，涉及在单个设备中共同封装多个芯片或芯片组。

4、新增ECCN 3D993（“开发或生产特定半导体制造设备（3B993）的软件”）

1202规则新增物项3D993，管制用于“开发”或“生产”3B993商品的软件。其中，3D993.b管控使用 多重图案化技术“开发”或“生产”集成电路而设计或修改的“电子计算机辅助设计”（ECAD）“软件”。3D993.c管控计算光刻软件。ECCN 3D993.d管控设计或修改用于提高受控DUV光刻设备生产率的软件。

5、新增ECCN 3E992（“开发或生产特定半导体制造设备的技术”）和3E993（“开发或生产特定半导体制造设备（3B993）的技术”）

1202规则新增物项ECCN 3E992和3E993，与上述新增的3D992和3D993管控规则相类似。

二、修改美国成分占规则（De Minimis）

1202规则修改EAR第734.4节“美国成分占比规则”（De minimis U.S. Rule）。针对ECCN 3B993.f.1、半导体制造设备外国直接产品规则（Semiconductor Manufacturing Equipment FDP，SME FDP）以及实体清单脚注5 FDP规则设置了0%的“最低美国成分”占比规则。

1、针对符合ECCN 3B993.f.1所列参数的设备，若该设备将被用于“开发”或“生产”“先进节点集成电路”，且该“先进节点集成电路”符合EAR第772.1节之第（1）款定义所规定的参数[2]，则“最低美国成分”占比规则为0%，除非该外国制造物项亦被规定在首次出口的国家的出口管制清单上[3]。

2、针对半导体制造设备外国直接产品规则（SME FDP），符合ECCNs 3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、k至n、p.2、p.4、r或3B002.c所列参数的物项，若其包含被归类为CCL第3类、第4类或第5类项下的美国原产集成电路，且该物项的目的地为D:5国家组国家（包括中国）或中国澳门地区时，则“最低美国成分”占比规则为0%，除非该物项已被排除EAR第742.4（a）（4）节的国家安全许可要求或第742.6（a）（6）节的区域稳定许可要求的限制。

3、针对实体清单脚注5FDP规则，对于符合CCL第3B类（除3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、k至n、p.2、p.4、r或3B002.c外）所列参数的物项，若其包含被归类为CCL第3类、第4类或第5类项下的美国原产集成电路，且该物项的目的地为被标有脚注5的实体清单实体时，则“最低美国成分”占比规则为0%。

因此，在满足特定条件的情况下，当外国制造的半导体设备和其他产品中包含任何比例的美国原产特定集成电路时，该外国制造的半导体设备及其他产品将受EAR管辖。

三、修订原有实体清单脚注1、实体清单脚注4 FDP规则和先进计算FDP规则的物项范围

1202新规未改变原有EAR针对实体清单脚注1和脚注4 FDP规则的管制逻辑。但针对实体清单脚注1 FDP规则，管制的上游物项编码由原来的16个ECCN扩大至24个ECCN。针对实体清单脚注4 FDP规则，管制的上游物项编码由原来的18个ECCN扩大至26个ECCN。针对先进计算FDP规则，管制的上游物项编码由原有的19个ECCN扩大至27个ECCN。

通过扩大原有FDP规则和新增下文的两项FDP规则，美国扩大了其对在美国境外生产并销往中国的某些物项的管辖权。

四、增加实体清单脚注5 FDP规则

如果某外国制造物项同时满足产品范围和最终用户范围，则该外国制造物项将受EAR管辖。产品范围涵盖了新修订的ECCN 3B001、3B002以及新增的3B993和3B994的物项。最终用户范围包括交易的任何一方为实体清单脚注5实体，或者产品将被纳入实体清单脚注5实体生产、购买或订购的产品中。值得注意的是，若外国制造物项包含3B001、3B002等特定美国原产的软件或技术的直接产品，亦可能落入实体清单脚注5 FDP规则，从而受到EAR管辖。

五、增加半导体制造设备FDP规则

如果某外国制造物项同时满足特定产品范围和最终目的地范围，则该外国制造物项将受EAR管辖。在此规则下，产品范围涵盖了3B类、3D类以及3E类的特定ECCN物项。最终目的地范围被规定为D:5国家组国家（包括中国）或中国澳门地区。亦值得注意的是，BIS曾多次通过管控半导体制造设备（SME）从而达到管控特定芯片产品的研发和生产。此次的半导体制造设备FDP规则亦是加强抑制中国先进节点制成芯片和AI大模型研发的重要规则之一。

六、修订临时通用许可（TGL）

1202规则针对部分受控物项规定了临时通用许可（Temporary General License，TGL），有效期至2026年12月31日。针对总部或最终母公司不是中国大陆地区或中国澳门地区的实体，在满足规定的特定物项范围和最终用途范围等条件下可以适用临时通用许可。

七、许可例外的适用与限制

1202规则新增两项许可例外，即许可例外HBM（License Exception High Bandwidth Memory）和受限制造设施许可例外RFF（Restricted Fabrication “Facility”）。

许可例外HBM授权在满足特定条件下可出口、再出口或境内转移内存带宽密度小于3.3 GB/s/mm^2的ECCN 3A090.c所管制的物项。但同时对出口商等提出了相关要求，要求其总部必须设在美国或A:5国家组，且其最终母公司的总部不得位于中国澳门地区或D:5国家组。此外，上述特定ECCN 3A090.c物项必须由共封装商品的设计者直接购买，必须直接出口、再出口或境内转移至封装地点，以及规定了其他试图确保上述特定ECCN 3A090.c物项不会转移至中国大陆地区和中国澳门地区的实体的多项条件和申报要求。

许可例外RFF授权在满足特定条件下出口、再出口、从国外出口和境内转移 ECCN 3B001、3B002、3B993、3B994、3D992、3D993、3D994、3E992、3E993或3E994 中未列明的物项。同时，其说明受限制造设施是指实体清单中的实体，且其许可证要求一栏中标注了需要参考第740.26节。目前，中国仅一家实体有此标注可适用该许可例外。

八、NAC与ACA

1202规则修订EAR第740.8节中段落（a）的引言部分，明确指出ECCN 3A090.c不得适用符合许可例外NAC（Notified Advanced Computing）或ACA（Advanced Computing Authorized）。BIS担心3A090.c的高带宽存储器（HBM）可能会被转用于集成到其他产品中，而这些产品会对先进人工智能模型训练的应用进一步造成国家安全和外交政策方面的影响。除此之外，针对NAC与ACA许可例外，1202规则没有进行实质性修改。

九、扩大美国人管控规则的物项范围

1202规则并未修改关于“美国人”管控规则的逻辑，仅修订EAR第744.6. （c） （2） （iii）段，使“美国人”受限的产品范围与 EAR第742.4（a）（4）（国家安全管控原因） 和 742.6（a）（6）（区域稳定管控原因） 中的许可证要求产品范围保持一致。

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十、对EAR第744.23节之“超级计算机”、 “先进节点集成电路”和半导体制造设备最终用途控制的澄清

1202规则就设计先进节点集成电路新增最终用途管控规则。具体而言，当“知晓”任何电子计算机辅助设计（ECAD）或技术计算机辅助设计（TCAD）“软件”和“技术”将被用于设计“先进节点集成电路”，且这些“先进节点集成电路”将在D:5国家组国家（包括中国）或中国澳门地区“生产”时，则受到1202规则的限制。

十一、新增红旗警示（Red Flags）

为了进一步帮助企业识别潜在的出口管控风险，1202规则新增8个红旗警示（Red Flags）。这些危险信号主要针对涉及实体清单脚注5实体和高风险交易的情形。具体包括：

1、非先进节点制造工厂订购“先进节点IC生产设备”；

2、订单中涉及的最终用户或最终用途信息模糊；

3、出口许可存在被拒绝的可能性；

4、请求提供敏感设备的服务支持；

5、客户管理层或技术负责人、技术团队与实体清单上的实体存在人员的重叠；

6、新客户订单内容涉及实体清单客户；

7、产品可能适用FDP规则；

8、设备或技术的最终用户位置存在风险。

十二、合规基准日和在途货物过渡期相关条款 

（一）合规基准日

1202规则规定，上述新增的Red Flags以及软件密钥相关规定的合规基准日为2024年12月2日，即在此日期之后，相关企业需要遵与Red Flags和软件密钥有关的新规定。

此外，上述FDP规则、相关最终用途管控规则等规定的合规基准日为2024年12月31日。即在此日期之后，相关企业需要遵与相关新规定。这意味着，截至本月月底，企业有一定的时间研究1202规则，并据此调整企业内部的出口管制内控制度。

（二）在途货物过渡期

最后，针对本次被增列至实体清单的企业，就其在途物项而言，如果其在2024年12月2日已由承运人运往出口、再出口或转让（国内）港的途中，根据出口、再出口或转让（国内）到外国目的地或在其境内的实际订单，可以按照以前的许可例外或无许可证出口、再出口或转让（国内）的资格前往该目的地，前提是出口、再出口或境内转让须不晚于2025年1月2日完成。

十三、应对建议

本次1202规则是对于自2022年10月BIS陆续发布的芯片规则做出的修订和澄清。结合实务经验，我们提出部分合规建议供相关企业和行业协会参考：

1、本次新规对先进节点芯片和半导体制造设备等多项物项修订现有技术参数，并新增管控物项。我们建议企业的技术人员比对新规中关于物项技术参数的修订，确认企业的产品是否属于CCL清单的新增及修订的管控范围。

2、针对企业的“美国人”员工，在原有规定的基础上，企业需要注意“美国人”管控规则中新增的半导体制造相关物项范围。建议针对“美国人”员工有针对性地开展合规培训，并稳妥有步骤地推进“人+物项+行为”的合规风险分析。

3、建议企业结合业务考虑适用各项许可例外和临时通用许可的可能性。为自身供应链稳定增加多种方案。

4、针对新规对半导体制造设备FDP和实体清单脚注5 FDP 规则，企业需要关注上述管控限制会“穿透”上游供应链。建议企业开展供应链筛查和合规管理工作，对上下游企业、产品最终用途等进行全面筛查和风险评估，识别供应链中存在的合规风险。

[注] 

[1] High bandwidth memory (HBM) having a ”memory bandwidth density” greater than 2 gigabytes per second per square millimeter.

[2] （1） Logic integrated circuits using a non-planar transistor architecture or with a “production” ‘technology node’ of 16/14 nanometers or less;

（2） NOT AND (NAND) memory integrated circuits with 128 layers or more; or

（3）Dynamic random-access memory (DRAM) integrated circuits having:

（i）A memory cell area of less than 0.0019 µm2; or

（ii）A memory density greater than 0.288 gigabits per square millimeter.

[3] BIS注：2023年7月23日，日本政府将所有地区的A光刻设备及其他先进半导体制造设备添加到其控制清单中。